| 品牌：赛米控 | 型号：SKB15/16 A2 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：A/宽频带放大 |
| 封装外形：CER-DIP/陶瓷直插 | 材料：GaAS-FET砷化镓 |
赛米控（西门康）SEMIKRON 英飞凌infineon可控硅 IGBT 系列产品，本公司可直接向德国订货，货源稳 交期快 量大更优惠！***每颗型号都为原装正品新件。欢迎新老客户咨询！
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原装正品、长期现货、三包承若
西门康整流桥模块
SKBB500/445-4
SKB15/02 A2
SKB15/04 A2
SKB15/08 A2
SKB15/12 A2
SKB15/14 A2
SKB15/16 A2
SKB25/12 SKB25/16
SKB26/12 SKB26/16
SKB30/02A1 SKB30/04A1
SKB30/08A1 SKB30/12A1
SKB30/16A1
SKB30/08 SKB30/12
SKB30/16
SKB33/02 SKB33/04
SKB33/08 SKB33/12
SKB33/14 SKB33/16
SKB50/04
英飞凌 IGBT(2U):FF75R12Y3、FF100R12YT3、FF150R12YT3、BSM25GB120DN2、
BSM35GB120DN2、BSM50GB120DN2、BSM75GB120DN2、BSM100GB120DN2、BSM100GB120DN2K、
BSM150GB120DN2、BSM200GB120DN2、BSM300GB120DN2、BSM50GB120DLC、BSM75GB120DLC、
BSM100GB120DLC、BSM150GB120DLC、BSM200GB120DLC、BSM300GB120DLC、BSM100GB120DLCK、
FF100R12KS4、FF150R12KS4、FF200R12KS4、FF300R12KS4、FF400R12KS4、FF600R12KF4、
FF400R12KF4、FF800R12KF4、FF400R12KL4C、FF600R12KL4C、FF800R12KL4C、FF150R12KE3、
FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3、FF400R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KT3、
FF400R12KT3、FF400R16KF4、FF600R16KF4、FF400R17KF6C_B2、FF600R17KF6C_B2、
FF800R17KF6C_B2、FF401R17KF6C_B2、FF200R17KE3、FF300R17KE3、FF600R17KE3、
FF800R17KE3、FF1200R17KE3、FF400R17KE3_B2、FF600R17KE3_B2、FF800R17KE3_B2、
FF1200R17KE3_B2、FF650R17IE4、FF1000R17IE4、BSM50GB170DN2、BSM75GB170DN2、
BSM100GB170DN2、BSM150GB120DN2、BSM100GB170DLC、BSM75GB170DLC、BSM150GB170DLC、
BSM200GB170DLC、FF150R17ME3G、FF225R17ME3、FF300R17ME3、FF450R17ME3、BSM50GB60DLC、
BSM75GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM100GB60DLC、BSM150GB60DLC、BSM200GB60DLC、BSM300GB60DLC、
FF200R06K3、FF300R06KE3、FF400R06KE3、FD300R06KE3、FF450R06ME3、FF600R06ME3.
驱动：
2SD106AI/-17, 2SD31***I/-33， 6SD106EI-17，IGD515E，2SP0320T/V，2SD300C17A0，
2SP0115T2Ax-12：两单元驱动板，针对FF300R12ME4/ME3，FF450R12ME4/ME3，FF600R12ME4，FF225R12ME4模块，以及1200V ECONO DUAL3模块，不带门极电阻的模块。
2SP0115T2Ax-17：两单元驱动板，针对FF300R17ME4/ME3，FF450R17ME4/ME3，FF600R17ME4，FF225R17ME4模块，以及1700V ECONO DUAL3模块，不带门极电阻的模块。
2SC0108T2Ax-17：1W,8A双通道驱动器，可驱动1200V或1700V IGBT模块
2SC0435T2AX-17：4W,3***,双通道驱动器，可驱动1200V或1700V IGBT模块
M57962AL, M57962L M57959L, VLA517，
英飞凌PIM(整流+七单元IGBT):FP10R12W1T3、FP15R12W1T3、FP10R12W1T4、FP10R12W1T4_B3、
FP15R12W1T4、FP15R12W1T4_B3、FP25R12W2T4、FP35R12W2T4、FP10R12YT3、FP10R12YT3_B4、
FP15R12YT3、FP15R12KT3、FP25R12KT3、FP40R12KT3、FP40R12KT3G、FP50R12KT3、FP75R12KT3、
FP10R12KE3、FP15R12KE3、FP15R12KE3G、FP25R12KE3、FP40R12KE3、FP50R12KE3、FP75R12KE3、
FP15R12KS4C、FP25R12KS4C、FP35R12KS4CG、FP50R12KS4C、FP10R12NT3、FP15R12NT3、FP35R12KT4、
FP50R12KT4、FP75R12KT4、FP100R12KT4、FP35R12KT4_B11、FP50R12KT4_B11、FP75R12KT4_B11、
FP100R12KT4_B11、BSM10GP120、BSM15GP120、BSM25GP120、BSM35GP120、BSM50GP120、BSM35GP120G、
BSM10GP60、BSM20GP60、BSM30GP60、BSM50GP60、BSM75GP60、BSM100GP60.
英飞凌IGBT(6U):FS25R12W1T4、FS35R12W1T4、FS10R12VT3、FS15R12VT3、FS10R12YT3、
FS15R12YT3、FS25R12YT3、FS35R12YT3、FS75R12KT3、FS75R12KT3G、FS100R12KT3、FS150R12KT3、
FS25R12KE3G、FS35R12KE3G、FS50R12KE3、FS75R12KE3、FS75R12KE3G、FS100R12KE3、FS150R12KE3、
FS150R12KE3G、FS225R12KE3、FS300R12KE3、FS450R12KE3、FS75R12KE3_B3、FS100R12KE3_B3、
FS75R12KS4、FS100R12KS4、FS300R12KF4、FS400R12KF4、FS300R16KF4、BSM50GD170DLC、
BSM75GD170DLC、FS50R17KE3_B17、FS75R17KE3、FS100R17KE3、FS150R17KE3G、FS225R17KE3、
FS300R17KE3、FS450R17KE3、FS25R12KT3、FS35R12KT3、FS50R12KT3、FS100R12KT4G、
FS100G12KT4G_B11、FS150R12KT4、FS150R12KT4_B11、FS225R12KE4、FS300R12KE4、FS450R12KE4、
FS20R06W1E3、FS30R06W1E3、FS50R06W1E3、FS10R06VL4_B2、FS15R06VL4_B2、BSM10R06XL4、
FS15R06XL4、FS20R06XL4、FS30R06XL4、FS6R06VE3_B2、FS30R06XE3、FS50R06YE3、FS75R06KE3、
FS100R06KE3、FS150R06KE3、FS150R06KE3_B4、FS200R06KE3、FS50R06YL4、FS10R06VE3、
FS10R06VE3_B2、FS15R06VE3、FS20R06VE3、FS15R06VE3_B2、FS20R06VE3_B2、FS30R06VE3、
FS15R06XE3.
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
